Адміністрація вирішила продати даний сайт. За детальною інформацією звертайтесь за адресою: rozrahu@gmail.com

ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
ЗІ
Кафедра:
Кафедра автоматизованих систем управління

Інформація про роботу

Рік:
2012
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
ЕВПТ
Група:
ВП

Частина тексту файла

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" Інститут комп’ютерних наук і інформаційних технологій Кафедра автоматизованих систем управління ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ . ТПК з загальною базою. Лабораторна робота № 6 з дисципліни "Елементи і вузли поліграфічної техніки" ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕМЕНТАРНИХ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ . ТПК з загальною базою. Мета роботи - вивчення принципів роботи і розрахунку елементарних транзисторних підсилювальних каскадів (ТПК), реалізація їх на дискретних елементах та набуття досвіду наладки і досліджень ТПК в реальних умовах. 1. Властивості підсилювальних каскадів на транзисторах Кожна проста чи складна радіоелектронна система містить у своєму складі окремі підсилювальні каскади або цілі багато каскадні підсилювальні пристрої. Призначення підсилювача - підвищення потужності вхідного сигналу до номінального значення, яке забезпечує нормальне функціонування вузла, пристрою чи електронної системи. Частотний діапазон роботи підсилювачів на сьогоднішній день не обмежений. Можна підсилювати сигнали, які змінюються з частотою меншою, ніж 1Гц (підсилювач постійного струму), і сигнали, які мають частоту оптичного діапазону (1 мазер=1·10+15 Гц). Така різносторонність і багатофункціональність визначили і різновидність конструктивного виконання пристроїв підсилювальної техніки, що отримало і отримує значні зміни: від навісного монтажу, який містить 3-5 деталей в 1см3 до модульної і друкованої схеми, яка містить до 30 деталей в 1см3 станом на 1990 рік і на сьогоднішній рік – на порядок більше . Далі стали використовувати інтегральні мікросхеми, які дозволяють отримати в одному технологічному процесі сотні і тисячі елементів. Маленька пластинка із кристалічного матеріалу розміром до1 мм2 перетворюється в електронний прилад, який еквівалентний складному радіотехнічному блоку . Підсилювач - це такий пристрій, який дозволяє слабим електричним сигналом керувати непорівняно великою потужністю місцевого джерела електроенергії. Найдавнішим механічним аналогом електронного підсилювача є гребля електростанції з водяним затвором. Невелике механічне зусилля регулює ступінь відкриття цього затвору і цим самим змінює потужність потоку води, який прямує з водосховища на крильчатку турбіни. Роль місцевого потужного джерела електроенергії в цьому прикладі виконує вода водосховища, яке розміщене на більш високому рівні, ніж рівень скидання води. При скиданні води здійснюється механічна робота - обертання турбіни. В електронних підсилювачах роль затвору (регулятора) величини струму джерела живлення виконує підсилювальний прилад - переважно транзистор. На мал.1 - приведені умовні графічні позначення біполярних транзисторів ( верхній ряд – n-p-n тип, нижній ряд – p-n-p тип ). Мал.1. Умовні графічні позначення біполярних транзисторів Відмінність в маркуванні транзисторів і діодів полягає в тому, що другий елемент містить букву Т в біполярних і П - у польових транзисторах. Перший елемент позначення (цифра або буква ) вказує на вихідний матеріал напівпровідника: 1 або Г – германій, 2 або К – кремній. В третьому елементі їх позначення (тризначний або чотиризначний номер ) відображені класифікаційні ознаки транзисторів за потужністю та частотним діапазоном. Четвертий елемент позначення (буква) вказує на різновидність транзистора даного типу. Наприклад, ГТ905А - германієвий біполярний потужний високочастотний транзистор, різновидність типу А. Залежно від технології виготовлення розрізняють сплавні, вирощені, дифузійні, епітаксійні та планарні транзистори. Для виготовлення дискретних (окремих) транзисторів переважно застосовується епітаксійно-планарна та мезапланарна технологія, а для виготовлення транзисторів інтегральних мікросхем – епітаксійно-планетарна технологія. Транзистор – це активний напівпровідниковий прилад з (р-n) переходами, який забезпечує підсилення електричних сигналів. Це п...
Антиботан аватар за замовчуванням

25.12.2013 03:12

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Завантаження файлу

Якщо Ви маєте на своєму комп'ютері файли, пов'язані з навчанням( розрахункові, лабораторні, практичні, контрольні роботи та інше...), і Вам не шкода ними поділитись - то скористайтесь формою для завантаження файлу, попередньо заархівувавши все в архів .rar або .zip розміром до 100мб, і до нього невдовзі отримають доступ студенти всієї України! Ви отримаєте грошову винагороду в кінці місяця, якщо станете одним з трьох переможців!
Стань активним учасником руху antibotan!
Поділись актуальною інформацією,
і отримай привілеї у користуванні архівом! Детальніше

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

пропонує роботу

Admin

26.02.2019 12:38

Привіт усім учасникам нашого порталу! Хороші новини - з‘явилась можливість кожному заробити на своїх знаннях та вміннях. Тепер Ви можете продавати свої роботи на сайті заробляючи кошти, рейтинг і довіру користувачів. Потрібно завантажити роботу, вказати ціну і додати один інформативний скріншот з деякими частинами виконаних завдань. Навіть одна якісна і всім необхідна робота може продатися сотні разів. «Головою заробляти» продуктивніше ніж руками! :-)

Новини